| 担当者 | 室 幸市 | |
|---|---|---|
| 学年・開講期 | ３年次 後期 [理工学部 情報電子工学科] | |
| 科目の種類 | 専門 | |
| 区分・単位 | 選択 2単位 | |
| 科目ナンバー | 3E328 | |
授業のねらいは、各種の電子デバイスの仕組みを理解出来るようになることです。
電子デバイスが必須の現代技術の基となっている、集積回路やディスプレイ等の原理や技術について学びます。
この授業ではDP4Eに関する知識、技法を修得します。
(1) 学生は、各種の電子デバイスの原理と技術を説明出来る。
(2) 学生は、電子デバイスと半導体の物性を説明出来る。
(3) 学生は、集積回路の概要と動作原理を説明出来る。
・達成度確認テスト70％、授業外レポート20%、プレゼンテーション10%で評価を行います。プレゼンテーションは、グループワークで調査した関連事項の報告になります。
・達成度確認テスト１の解答例は第9回授業で解説し、テスト２の解答例はLMSに掲載します。評価に関わる解答項目についてフィードバックを行います。
| 種別 | 書名 | 著者・編者 | 発行所 |
|---|---|---|---|
| 教科書 | 授業は教員が用意した資料で進めます。資料は、授業の2日前迄にLMS上に掲載します。 | ||
| 参考文献 | 授業で必要に応じて紹介します。 |
・授業で使用する資料教材を2日前迄にLMSに掲載しますので、教材資料を十分に予習して授業に臨んで下さい。（1時間程度）
・授業の復習及び関連事項を調査する等して、授業外レポートを作成して下さい。（2時間程度） 授業外レポートを提出してもらいます。
・授業は主に講義形式ですが、関連項目を調査する授業外レポートを作成してもらいます。
・関連項目の調査はグループワークとし、プレゼンテーションしてもらいます。
・達成度確認テスト１，２の両方を受験して下さい。無断の欠席は単位を認定しません。
・授業内容を最近変更しましたので、適宜状況により見直す場合があります。
| 回 | 授業内容 |
|---|---|
| 第1回 | ガイダンス。電子デバイスの概要 |
| 第2回 | 半導体とダイオード：半導体の種類、ダイオードの種類や原理 |
| 第3回 | ダイオードの作用：ダイオードの整流作用、発光ダイオード |
| 第4回 | トランジスタ：信号増幅の原理、トランジスタの種類、バイポーラトランジスタ |
| 第5回 | 金属－半導体接触：ショットキー障壁、オーミック接触の原理 |
| 第6回 | MISFET、MOSFET：電界効果トランジスタ、動作原理、種類 |
| 第7回 | ダイオードとトランジスタのフィードバック。グループワーク調査のプレゼンテーション。 |
| 第8回 | 達成度確認テスト１（出題範囲：第1回から第7回）、授業外レポートの提出、まとめ |
| 第9回 | イメージセンサ：CCD及びCMOSの原理。テスト１の解説。 |
| 第10回 | メモリ、記録：半導体メモリ、磁気記録、光記録 |
| 第11回 | ディスプレイ：種類、CDT及びFPDの原理 |
| 第12回 | 光デバイス：光子と半導体の作用、発光ダイオード、レーザダイオード、太陽電池 |
| 第13回 | 集積回路：種類、シリコンウエハ、作製方法 |
| 第14回 | 各種電子デバイスのフィードバック。グループワーク調査のプレゼンテーション。 |
| 第15回 | 達成度確認テスト２（出題範囲：第９回から第14回）、授業外レポートの提出、まとめ |
