電子デバイス
担当者室 幸市教員紹介
学年・開講期3年次 後期  [理工学部 情報電子工学科]
科目の種類専門
区分・単位選択 2単位
科目ナンバー3E328

授業の概要(ねらい)

授業のねらいは、各種の電子デバイスの仕組みを理解出来るようになることです。
電子デバイスが必須の現代技術の基となっている、集積回路やディスプレイ等の原理や技術について学びます。
この授業ではDP4Eに関する知識、技法を修得します。

授業の到達目標

(1) 学生は、各種の電子デバイスの原理と技術を説明出来る。
(2) 学生は、電子デバイスと半導体の物性を説明出来る。
(3) 学生は、集積回路の概要と動作原理を説明出来る。

成績評価の方法および基準

・達成度確認テスト70%、授業外レポート20%、プレゼンテーション10%で評価を行います。プレゼンテーションは、グループワークで調査した関連事項の報告になります。
・達成度確認テスト1の解答例は第9回授業で解説し、テスト2の解答例はLMSに掲載します。評価に関わる解答項目についてフィードバックを行います。

教科書・参考文献

種別書名著者・編者発行所
教科書授業は教員が用意した資料で進めます。資料は、授業の2日前迄にLMS上に掲載します。
参考文献授業で必要に応じて紹介します。

準備学修の内容

・授業で使用する資料教材を2日前迄にLMSに掲載しますので、教材資料を十分に予習して授業に臨んで下さい。(1時間程度)
・授業の復習及び関連事項を調査する等して、授業外レポートを作成して下さい。(2時間程度) 授業外レポートを提出してもらいます。

その他履修上の注意事項

・授業は主に講義形式ですが、関連項目を調査する授業外レポートを作成してもらいます。
・関連項目の調査はグループワークとし、プレゼンテーションしてもらいます。
・達成度確認テスト1,2の両方を受験して下さい。無断の欠席は単位を認定しません。
・授業内容を最近変更しましたので、適宜状況により見直す場合があります。

授業内容

授業内容
第1回ガイダンス。電子デバイスの概要
第2回半導体とダイオード:半導体の種類、ダイオードの種類や原理
第3回ダイオードの作用:ダイオードの整流作用、発光ダイオード
第4回トランジスタ:信号増幅の原理、トランジスタの種類、バイポーラトランジスタ
第5回金属-半導体接触:ショットキー障壁、オーミック接触の原理
第6回MISFET、MOSFET:電界効果トランジスタ、動作原理、種類
第7回ダイオードとトランジスタのフィードバック。グループワーク調査のプレゼンテーション。
第8回達成度確認テスト1(出題範囲:第1回から第7回)、授業外レポートの提出、まとめ
第9回イメージセンサ:CCD及びCMOSの原理。テスト1の解説。
第10回メモリ、記録:半導体メモリ、磁気記録、光記録
第11回ディスプレイ:種類、CDT及びFPDの原理
第12回光デバイス:光子と半導体の作用、発光ダイオード、レーザダイオード、太陽電池
第13回集積回路:種類、シリコンウエハ、作製方法
第14回各種電子デバイスのフィードバック。グループワーク調査のプレゼンテーション。
第15回達成度確認テスト2(出題範囲:第9回から第14回)、授業外レポートの提出、まとめ